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氣體中微量水份的測定一露點法和氧化鋁電容法

日期:2017-05-07 作者: 來源: 瀏覽:

氣體中微量水份的測定一露點法和氧化鋁電容法

作  者:黎修祺 駱如枋 毛平天

機構(gòu)地區(qū):中*科學(xué)院上海冶金研究所

出  處:《低溫與特氣》1986年第4期 61-65,共5頁
Low Temperature and Specialty Gases

摘  要:在半導(dǎo)體材料及電子器件生產(chǎn)中,要用到諸如氫、氮、氧、氬和氦等高純氣體,氣體純度嚴重影響產(chǎn)品質(zhì)量。如氫,氮等氣體及其流經(jīng)的系統(tǒng)中的水份和氧,對硅及Ⅲ一V族化合物是 其有害的雜質(zhì)。在硅外延工藝中,氫中水份達100vpm時,硅外延層會變成多晶結(jié)構(gòu)。在MOS大規(guī)模集成電路的硅柵多晶薄膜工藝中,若稀釋氣體中含有微量水份,使多晶硅薄膜中夾有“氧化硅集團”,從而在刻蝕多晶硅薄膜時,造成多晶硅脫落,致使電學(xué)性能變壞。由上可知,對高純氣體及其流經(jīng)系統(tǒng)中的微量氧和水份必須進行監(jiān)測和控制。

關(guān) 鍵 詞:微量水份 電容法 氧化鋁 露點法 大規(guī)模集成電路 多晶硅薄膜 測定 高純氣體 半導(dǎo)體材料 電子器件 產(chǎn)品質(zhì)量 氣體純度 外延工藝 多晶結(jié)構(gòu) 硅外延層 薄膜工藝 稀釋氣體 電學(xué)性能 化合物 MOS 氧化硅 微量氧 系統(tǒng) 雜質(zhì) 硅柵
 

 



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